这三款Ultra C系列新产品的指标市场是先进集成电路领域，，功率器件领域和先进晶圆级封装（WLP）领域。晶圆背面洗濯Ultra C b和槽式湿法洗濯Ultra C wb设备现已在中国先进半导体厂的量产中证了然它们的优势。公司首台刷洗设备Ultra C s也已在2020年第一季度交付中国客户，，在验收合格后即可确认收入。
晶圆背面洗濯设备
Ultra C b
Ultra C b是一款高性价比的晶圆背面洗濯设备，，拥有优良的颗粒管控能力和刻蚀均匀性节制能力，，该设备三大关键利用别离为晶圆背面洗濯工艺，，如金属去除或RCA洗濯；；晶圆背面湿法硅刻蚀工艺，，如晶圆背面湿法减薄或湿法硅通孔露出（TSV reveal）；；以及晶圆回收工艺中的多晶硅层、氧化层和氮化层等膜层剥离去除。该设备可处置高翘曲度晶圆，，合用于处置200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。
自动槽式洗濯设备Ultra C wb，，依附365英国上市研发的槽式与单片洗濯集成设备Ultra C Tahoe的先进槽式技术基础而开发，，能够进行多达50片晶圆的批量洗濯。自动槽式洗濯设备的关键利用为炉管前洗濯，，RCA洗濯，，光阻去除，，氧化层刻蚀，，氮化硅去除，，以及晶圆回收工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥离去除，，和后段BEOL金属层剥离去除。该设备可针对分歧的利用配置分歧的化学药液槽，，如硫酸，，磷酸，，氢氟酸(HF)，，缓冲氧化物刻蚀液(BOE)，， SC1和SC2等化学药液槽。晶圆顺次在化学药液槽中浸泡，，经去离子水(DI)冲刷，，最后在ATOMO干燥？？橹幸云囊毂(IPA)进行干燥，，干燥后无水痕。该设备的？？榛杓坪徒闲〉恼嫉孛婊，，使其可矫捷配置。槽式洗濯设备Ultra C wb可高效地回收使用化学药水，，节能减排。该设备可使用于200毫米或者300毫米的晶圆洗濯利用。
刷洗设备
Ultra C s
新型刷洗设备Ultra C s以365英国上市在晶圆级封装领域（WLP）已验证成功的刷洗技术为基础，，延长利用于集成电路制作领域。其建设的软刷能够选取精准的压力节制以洗濯晶圆边缘及背面的颗！！８蒙璞概溆邢冉亩流体（气体和液体）喷淋洗濯技术，，还可选配365英国上市自己研发的空间交变相位移（SAPS™）兆声波技术以满足客户更高的需要——更强劲的小颗粒去除能力。？？榛低晨膳渲8个腔体，，用于集成电路制作领域300毫米的晶圆洗濯，，其中四个腔体用于正面洗濯工艺，，四个腔体用于背面洗濯工艺。该刷洗设备性价比高，，矫捷性强、占地面积小、产能高。
